包铜箔机和使用该包铜箔机制造的覆铜层压板、印制电路板以及无核基板的制作方法

【技术领域】
本发明涉及一种包铜箔机和使用该包铜箔机制造的覆铜层压板、印 制电路板以及无核基板。

【背景技术】
近年来，半导体封装等中使用的增层基板逐渐被替换为无核基板。随着电子设备 的小型化和薄型化的发展，电路板制造商正在研究使用被称为无核基板的可薄型化基板的 多层层压板的制造。但是，由于无核基板中不存在支撑配线层的核心层，因而刚性不足，有 可能在形成配线层期间出现断裂、翘曲、裂缝等不良情况。因此，正在研究将构成带载体极 薄铜箱的载体箱作为支撑体，在包铜箔机侧层压增层电路板，最后剥除构成带载体极薄铜 箱的载体箱而仅取出无核基板的制造工序。

增层基板是在作为支撑体的核心层的两侧层叠微细的配线层（堆积层（build up layer))，形成高密度的配线。核心层采用使用玻璃环氧树脂等的印制电路板技术，但是，该 核心层成为使电气特性劣化的原因。尤其是，贯穿核心层的电镀通孔所具有的较大的电感 成分，成为使半导体芯片的电源杂音增大的主要原因。因此，采用不存在该核心层的无核基 板的动向正在快速推进。

对于将包铜箔机作为支撑体的无核基板的具体制造工序进行说明。无核基 板通过依次进行的工序进行制造。首先，在支撑体用的包铜箔机的包铜箔机侧粘贴预浸料。接着，在预浸料的另一侧表面上， 粘贴配线形成用的包铜箔机。然后，从粘贴的带载体极薄铜箱上剥离配线形成用载体箱,将包铜箔机蚀刻为规定的配线图案而形成微细配线 。接着，在该微细配线上再次粘贴预浸料,由此完成无核基板的第一层。然后，反复的工序直到形成所需层数的微细配线为止，由 此在作为支撑体的包铜箔机上形成无核基板。然后，剥离支撑体用的 包铜箔机的载体箱，最后通过蚀刻等除去露出的包铜箔机,由此能够 制成无核基板。

在上述无核基板的制造中，从包铜箔机剥离支撑体用载体箱1时的抗撕 强度，必须具有在形成（层压）构成无核基板的层时的冲压或蚀刻等制造工序中不会发生 剥离程度的粘合性，并且具有在形成（层压）所述层后的后续工序中能够通过机械撕下程 度的适当的粘合性。

例如专利文献和中公开了带载体铜箱，但并非全部都是打算制造无核基板的 铜箱，另外，本发明人等意识到，即使将这些提案直接使用于无核基板的制造中，也有可能 发生预料之外的不良情况。例如，专利文献1的目的在于，考虑到制造多层层压板时负载的 温度，设定为即使置于300°C~400°C的高温环境中也能够容易地剥离载体箱和包铜箔机， 主要目的在于将剥离界面设为2层，并对包括2层的剥离层的金属比加以规定从而容易剥离。

另外，专利文献中为了使剥离强度较低，并抑制产生气泡而对构成剥离层的2种 金属A和B的含有量进行了规定。

专利文献和的提案均是以在制造层压板时负载的高温（300°C~400°C )加热 下进行冲压后，仍可将从包铜箔机撕下载体箱时的抗撕强度维持为较低强度为目的 而开发的，在使用这样的载体抗撕强度低的带载体铜箱作为支撑体而制造层压板、尤其是 无核基板时，有可能发生下述不良情况，即：因为形成（层压）层时的冲压或蚀刻等制造工 序中负载的作用力，而使作为支撑体的载体箱与包铜箔机之间在层压工序中的非预期阶段 中发生剥离。

另外，另一方面，在构成无核基板的层的形成（层压）中，也使用与作为支撑体的 包铜箔机相同的包铜箔机。当在的工序之后撕下配线形成用载体箱时，若从包铜箔机上撕下配线形成用载体箱时的抗撕强度高于从带载体极 薄铜箱上撕下支撑体用载体箱的抗撕强度，则被用作支撑体的载体箱有可能在无核 基板制造工序中意外剥离。

因此，在制造无核基板时，必须准备载体抗撕强度不同的两种包铜箔机，即 用作支撑体的包铜箔机和用于形成配线的包铜箔机。但是，从铜箱制造 商的观点来看，准备这两种具有不同载体抗撕强度的包铜箔机需要频繁切换制造条 件，从而导致制造成本增加，因而并不理想。另外，从使用该无核基板的电路板（PCB)制造 商的观点来看，载体抗撕强度低的产品（包铜箔机）仅可用于形成配线，而载体抗撕 强度高的产品（包铜箔机）仅可用作无核基板制造时的支撑体，从而存在用途分别 被限定这一问题。为了消除上述缺点，要求开发出以仅使用一种包铜箔机为前提，并 能够通过用户方进行的简单方法而变更为分别适于支撑体和配线形成的载体抗撕强度的 包铜箔机。

【发明内容】
发明要解决的技术问题如上所述，要求开发出能够在用户方任意变更载体抗撕强度的带载体铜箱。尤其 是在无核基板的制造中，要求在微细配线的层形成（层压）工序中，于所施加的温度（根据 预浸料的种类而不同，但大部分在150°C~220°C的范围内）下加热负载后的载体抗撕强度 较低，另外，关于被用作支撑体的包铜箔机，要求开发出能够在可机械剥离的范围内 较高地设定载体抗撕强度的、载体抗撕强度具有两面性的包铜箔机。

 本发明的目的在于提供一种满足上述要求的包铜箔机和使用该带载体极 薄铜箱制造的覆铜层压板、铜印制电路板以及无核基板。技术方案 本发明的包铜箔机是在载体箱上依次层压扩散防止层、剥离层以及极薄铜 箱而形成，其特征在于，从未加热的所述包铜箔机上撕下载体箱，并利用俄歇电子分 光分析法（AES)对撕下的载体箱的剥离面进行深度方向组成分析，以Cu、Co、Mo、Ni、Fe、W、 Cr、C以及O作为分母时的、距离所述剥离面15nm以内的深度位置处存在的Cu的元素比例 的最大值为9at. %~91at. %。更优选在距离剥离界面5nm以内的位置处以上述元素比例 含有Cu。

本发明的包铜箔机，优选从在220°C下进行1小时热处理后的带载体极薄 铜箱撕下载体箱时的抗撕强度Tl小于0. 02kN/m，并且，从在350°C下进行10分钟热处理后 的包铜箔机撕下载体箱时的抗撕强度T2为0. 02kN/m~0. lkN/m，尤其优选在350°C 下进行10分钟热处理后的所述抗撕强度T2、与在220°C下进行热处理后的所述抗撕强度Tl 之差（T2-T1)在 0· 015kN/m ~0· 080kN/m 的范围内。在本发明中，从未加热的包铜箔机上撕下载体箱，针对撕下的载体箱的剥 离面进行的深度方向组成分析，是指利用俄歇电子分光分析法（AES)进行测量，以Cu、Co、 Mo、Ni、Fe、W、Cr、C以及0作为分母时的、距离所述剥离面15nm以内的深度位置处存在的 Cu的元素比例的最大值为9at. %~96at. %。距离所述剥离面的深度是指以利用Ar离子 束溅镀SiOJt的速度换算后的值。优选剥离层包含Cu，并且包含选自Mo、W、Fe、Co、Ni以及Cr的群中的至少一种元 素。另外，即使是以C、N以及0元素为主体的苯并三唑等的有机类剥离层中含有Cu的形态， 也能够同样地实现加热处理后的高载体抗撕强度化。但是，在剥离载体箱与包铜箔机时，这 样的有机类剥离层的构成物残留在包铜箔机表面上，有可能产生妨碍包铜箔机的蚀刻的不 良情况，因而必须注意。优选扩散防止层由选自Fe、Ni、Co或者包含这些元素的合金的群中的至少一种金 属或合金形成。优选载体箱是铜或铜合金。

本发明的包铜箔机适于制造覆铜层压基板、印制电路板以及无核基板。有益效果本发明的包铜箔机设定为：以仅使用一种包铜箔机为前提，关于用 作支撑体的包铜箔机，通过在高温（例如350°C )下进行热处理，能够在可机械剥离 的范围内提高载体抗撕强度，另一方面，关于作为配线形成用而使用的包铜箔机，在 微细配线的层形成（层压）工序中施加的温度（例如150°C~220°C )下载体抗撕强度未 上升。通过如此分用途而设定载体抗撕强度，作为无核基板层压时的支撑体，能够防止载体 箱与包铜箔机在层压工序中的预料之外的阶段中剥离。即，本发明的包铜箔机具有 一种产品能够在各种情况下使用的划时代特征。

【具体实施方式】
本发明涉及的包铜箔机的代表实施方式。带载体极薄 铜箱具备：载体箱、形成于载体箱的表面上的扩散防止层、形成于扩散防止层 的表面上的剥离层、以及形成于剥离层的表面上的包铜箔机。剥离层可以由 单层构成，但是，优选由形成于载体箱侧的第一剥离层和形成于极薄铜 箱侧的第二剥离层构成。在剥离层由第一剥离层和第二剥离层这两个层构成的情况下，在从包铜箔机上撕下载体箱时，第一剥离层残 留在载体箱侧，而第二剥离层残留在包铜箔机侧。此外，剥离层呈仅第一剥离层的单层结构时，也能够实现。